CVD 回轉(zhuǎn)爐的核心 —— 化學(xué)氣相沉積（CVD）技術(shù)，堪稱材料制備領(lǐng)域的 “神奇魔法”。通過(guò)向回轉(zhuǎn)爐內(nèi)輸送含目標(biāo)元素的氣態(tài)化合物，在高溫、高壓的精準(zhǔn)調(diào)控下，這些氣體發(fā)生奇妙的化學(xué)反應(yīng)，將所需元素均勻沉積在材料表面，形成性能卓越的涂層。與傳統(tǒng)方法相比，CVD 技術(shù)的優(yōu)勢(shì)十分突出。它能在較低溫度下完成反應(yīng)，大幅降低對(duì)材料基體的熱損傷，同時(shí)對(duì)沉積層的成分、結(jié)構(gòu)和厚度實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)控制，為材料性能的優(yōu)化和定制提供無(wú)限可能。

在 CVD 工藝?yán)?，溫度是決定材料質(zhì)量的關(guān)鍵因素。罡正 CVD 回轉(zhuǎn)爐采用進(jìn)口高精度溫度傳感器，配合智能溫控算法，能夠?qū)崟r(shí)監(jiān)測(cè)并精準(zhǔn)調(diào)控爐內(nèi)溫度，測(cè)量精度可達(dá) ±1℃。無(wú)論是對(duì)溫度變化極為敏感的半導(dǎo)體材料，還是對(duì)微觀結(jié)構(gòu)要求苛刻的納米材料，都能在這款回轉(zhuǎn)爐中獲得理想的制備環(huán)境，確保材料性能的高度一致性。

在 CVD 過(guò)程中，氣體流量和壓力的精準(zhǔn)控制對(duì)反應(yīng)的順利進(jìn)行至關(guān)重要。罡正 CVD 回轉(zhuǎn)爐配備多通道氣體流量控制系統(tǒng)，可獨(dú)立調(diào)節(jié)不同氣體的流量，精度達(dá)到 ±0.1sccm。同時(shí)，先進(jìn)的壓力傳感器和自動(dòng)調(diào)節(jié)裝置會(huì)根據(jù)工藝要求實(shí)時(shí)調(diào)整爐內(nèi)壓力，讓反應(yīng)始終處于最佳狀態(tài)。這種精確的氣體調(diào)控能力，不僅能保證材料沉積的均勻性，還能顯著提高生產(chǎn)效率，降低原材料損耗。